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(创建页面,内容为“'''三极管''' 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把…”) |
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'''三极管''' | '''三极管''' | ||
+ | {{Infobox person | ||
+ | | 姓名 = 三极管 | ||
+ | |圖片 = [[File:T01b4fd041790f4402f.jpg|缩略图|居中|250px|[https://image.so.com/view?q=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&src=tab_www&correct=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&ancestor=list&cmsid=9116b5a6d0a07877de5ba4d71041f6e1&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=122&adstar=0&clw=246#id=2cf084be63c14d1d8001fd2a9bd7becd&currsn=0&ps=102&pc=102 原图链接][http://www.007swz.com/yazhou8888/products/ciminsanjiguan_86.html 图片来源于007商务站网]]] | ||
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+ | '''三极管''',全称应为[[半导体]]三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制[[电流]]的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。 | ||
− | + | 三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是[[ 电子]][[ 电路]] 的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近 的[[PN 结]] ,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。<ref>[http://www.elecfans.com/yuanqijian/sanjiguang/20170425510870.html 三极管工作原理介绍,NPN和PNP型三极管的原理图与各个引脚介绍],电子发烧友网,2017年04月25日</ref> | |
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− | 三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近 | ||
=='''基本介绍'''== | =='''基本介绍'''== | ||
+ | [[File:61c1c3f4985b4a74bee571267655ce81.jpg|缩略图|350px|[https://image.so.com/view?q=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&src=tab_www&correct=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&ancestor=list&cmsid=9116b5a6d0a07877de5ba4d71041f6e1&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=122&adstar=0&clw=246#id=6f568b94e5ef1b5a155277c0ff3787e5&currsn=0&ps=102&pc=102 原图链接][http://www.wwwic.net/news/10/328.html 图片来源于深圳洪德胜电子网]]] | ||
中文名 :三极管 | 中文名 :三极管 | ||
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发明时间 :1947年 | 发明时间 :1947年 | ||
− | 材 料 :半导体 | + | 材 料 :[[ 半导体]] |
作用:实现电流放大功能 、控制电路 | 作用:实现电流放大功能 、控制电路 | ||
− | + | 文 字符号 :NPN和PNP | |
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=='''发展历史'''== | =='''发展历史'''== | ||
+ | 1947年12月23日,[[美国]][[新泽西]]州墨累山的贝尔实验室里,3位科学家——[[巴丁博士]]、[[布莱顿博士]]和[[肖克莱博士]]在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在[[导体]]电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量[[电流]],竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。这个器件,就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为“献给世界的[[圣诞节]]礼物”。这3位科学家因此共同荣获了1956年[[诺贝尔]]物理学奖。 | ||
− | + | 新研究发现,在晶体管[[ 电子]] 流出端的衬底外,沉积一层对应材料,能形成一个[[ 半导体]] 致冷P-N结构,因为N材料的电子能级低,P材料的电子能级高,当电子流过时,需要从衬底吸入热量,这就为晶体管核心散热提供一个很好的途径。因为带走的热量会与电流的大小成正比例,业内也称形象地把这个称为“电子血液”散热技术。根据添加新材料的极性位置不同,新的致冷三极管分别叫做N-PNP或NPN-P。 | |
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− | 新研究发现,在晶体管电子流出端的衬底外,沉积一层对应材料,能形成一个半导体致冷P-N结构,因为N材料的电子能级低,P材料的电子能级高,当电子流过时,需要从衬底吸入热量,这就为晶体管核心散热提供一个很好的途径。因为带走的热量会与电流的大小成正比例,业内也称形象地把这个称为“电子血液”散热技术。根据添加新材料的极性位置不同,新的致冷三极管分别叫做N-PNP或NPN-P | ||
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+ | 晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,[[集成电路]]以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子[[计算机]]之类的高精密装置就变成了现实。 | ||
=='''基本结构'''== | =='''基本结构'''== | ||
+ | [[File:1397459803634ymuym.jpg|缩略图|350px|[https://image.so.com/view?q=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&src=tab_www&correct=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&ancestor=list&cmsid=9116b5a6d0a07877de5ba4d71041f6e1&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=122&adstar=0&clw=246#id=d057bc43de8610820543def72bb6c3d8&currsn=0&ps=102&pc=102 原图链接][http://scs-college.com/%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1pnp%E5%92%8Cnpn%E7%9A%84%E5%8C%BA%E5%88%AB/ 图片来源于接线图分享网]]] | ||
+ | 晶体三极管是在一块[[半导体]]基片上制作两个相距很近的[[PN结]],排列方式有PNP和NPN两种。半导体三极管,也称为晶体管,它是由三层半导体制成的两个PN结组成。从三块半导体上各引出一根导线是晶体管的三个电极,它们分别叫做[[发射极]]e,[[基极]]b和[[集电极]]c。每块对应的半导体称为发射区,基区和集电区。 | ||
− | + | 发射区和集电区均为[[N型 半导体]] , 不同 的是,发射 区比集电区掺入的杂质多,在几何尺寸上 ,集电 区 的 面积要远比 发射区 的大。而 基 区在发射 区和集电区 之间 。 | |
− | 发射区和集电区 | + | 发射区和 基区之间的PN结叫发射结, 集电区 和基区之间 的[[PN结]]叫集电结。基区很薄 , 而 发射区 较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射 区"发射" 的 是[[空穴]] , 其移动方向与电流方向一致 , 故发射极箭头向里;NPN型三极管发射 区"发射" 的 是[[自由电子]],其移动方向与电流方向相反,故 发射 极箭头向外 。发射 极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。[[硅]]晶体三极管 和 锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。<ref>[https://jingyan.baidu.com/article/8065f87fb59f6723312498f1.html 三极管各极有什么 区 别,怎么辨认],百度经验网,2018-06-07</ref> |
− | + | =='''产品分类'''== | |
+ | [[File:0 jbedz5188 20120530100243.jpg|缩略图|350px|[http://pic.sogou.com/d?query=%C8%FD%BC%AB%B9%DC&mode=1&did=1#did0 原图链接][http://www.zk71.com/products/u711381/jbedz5188_48679046.html 图片来源于中科商务网]]] | ||
− | + | 1.按材质分: [[ 硅]] 管、[[ 锗]] 管 | |
− | 1.按材质分: | ||
2.按结构分: NPN 、 PNP | 2.按结构分: NPN 、 PNP | ||
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3.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等. | 3.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等. | ||
− | 4. 按功率分:小功率管、中功率管、大功率管 | + | 4. 按功率分:小[[ 功率]] 管、中功率管、大功率管 |
5.按工作频率分:低频管、高频管、超频管 | 5.按工作频率分:低频管、高频管、超频管 | ||
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7.按安装方式:插件三极管、贴片三极管 | 7.按安装方式:插件三极管、贴片三极管 | ||
+ | =='''产品参数'''== | ||
+ | [[File:Sanjiguan.jpg|缩略图|450px|[https://image.so.com/view?q=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&src=srp&correct=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&ancestor=list&cmsid=0f08c791a8f367604f9d467f88089e74&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=122&adstar=0&clw=246#id=99757c7d495c1b7a924726efcc77b97d&prevsn=242&currsn=302&ps=342&pc=60 原图链接][http://www.ec66.com/market/knowledge.asp?typeid=22 图片来源于中国66电子网]]] | ||
− | + | 1、 特征频率 | |
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− | 当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作 | + | 当f= fT时,三极管完全失去[[ 电流]] 放大功能。如果工作[[ 频率]] 大于fT,电路将不正常工作 。fT 称作增益带宽积,即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率. |
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− | + | 2、 电压/电流 | |
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。 | 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。 | ||
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− | + | 3、 电流放大倍 数hFE | |
− | + | 4、集电极发射极反向[[击穿]][[电压]],表示临界饱和时的饱和电压VCEO。 | |
− | + | 5、最大允许耗散功率PCM 。 | |
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=='''管型和管脚判断'''== | =='''管型和管脚判断'''== | ||
===目测法=== | ===目测法=== | ||
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===用万用表电阻档判别=== | ===用万用表电阻档判别=== | ||
− | 三极管内部有两个PN结,可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下,也可用此法判别管型。<ref>[http://www.cntronics.com/art/artinfo/id/80036178 三极管管型、管脚和性能测量方法],电子原件技术网,2019-06-20</ref> | + | [[File:M 08-152318258.jpg|缩略图|450px|[https://image.so.com/view?q=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&src=srp&correct=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&ancestor=list&cmsid=0f08c791a8f367604f9d467f88089e74&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=122&adstar=0&clw=246#id=f4ff0f516c990802d414807ef9d3d89c&prevsn=242&currsn=302&ps=342&pc=60 原图链接][http://top.hc360.com/ 图片来源于慧聪网]]] |
− | + | 三极管内部有两个PN结,可用[[ 万用表]] 电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下,也可用此法判别管型。<ref>[http://www.cntronics.com/art/artinfo/id/80036178 三极管管型、管脚和性能测量方法],电子原件技术网,2019-06-20</ref> | |
1、基极的判别 | 1、基极的判别 | ||
− | 判别管极时应首先确认基极。对于NPN管,用黑表笔接假定的基极,用红表笔分别接触另外两个极,若测得电阻都小,约为几百欧~几千欧;而将黑、红两表笔对调,测得电阻均较大,在几百千欧以上,此时黑表笔接的就是基极。PNP管,情况正相反,测量时两个PN结都正偏的情况下,红表笔接基极。 实际上,小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间,可用上述方法,分别将黑、红表笔接基极,既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样),又可确认管型。 | + | 判别管极时应首先确认基极。对于NPN管,用黑表笔接假定的基极,用红表笔分别接触另外两个极,若测得[[ 电阻]] 都小,约为几百欧~几千欧;而将黑、红两表笔对调,测得电阻均较大,在几百千欧以上,此时黑表笔接的就是基极。PNP管,情况正相反,测量时两个PN结都正偏的情况下,红表笔接基极。 实际上,小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间,可用上述方法,分别将黑、红表笔接基极,既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样),又可确认管型。 |
2、 集电极和发射极的判别 | 2、 集电极和发射极的判别 | ||
− | 确定基极后,假设余下管脚之一为集电极c,另一为发射极e,用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时,将万用表两表笔分别与c、e接触,若被测管为NPN,则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极(PNP管相反),观察指针偏转角度;然后再设另一管脚为c极,重复以上过程,比较两次测量指针的偏转角度,大的一次表明IC大,管子处于放大状态,相应假设的c、e极正确。 | + | 确定基极后,假设余下管脚之一为集电极c,另一为发射极e,用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时,将[[ 万用表]] 两表笔分别与c、e接触,若被测管为NPN,则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极(PNP管相反),观察指针偏转角度;然后再设另一管脚为c极,重复以上过程,比较两次测量指针的偏转角度,大的一次表明IC大,管子处于放大状态,相应假设的c、e极正确。 |
+ | =='''元件的作用'''== | ||
− | + | 晶体三极管具有[[ 电流]] 放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 | |
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− | 晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 | ||
=='''工作状态'''== | =='''工作状态'''== | ||
+ | [[File:T013ff85676b6fbce0a.jpg|缩略图|350px|[https://image.so.com/view?q=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&src=tab_www&correct=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&ancestor=list&cmsid=9116b5a6d0a07877de5ba4d71041f6e1&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=122&adstar=0&clw=246#id=9112f1948ab2dfa8f4bc6cf82e11dc79&currsn=0&ps=102&pc=102 原图链接][http://zhishi.xkyn.net/jingyan-305108545414539924.htm 图片来源于生活知识网]]] | ||
===截止状态=== | ===截止状态=== | ||
− | 当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。 | + | 当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通[[ 电压]] ,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。 |
===放大状态=== | ===放大状态=== | ||
− | 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。 | + | 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有[[ 电流]] 放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态 。 |
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+ | 三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。<ref>[http://www.elecfans.com/yuanqijian/sanjiguang/20170425510870.html 三极管工作原理介绍,NPN和PNP型三极管的原理图与各个引脚介绍],电子发烧友网,2017年04月25日</ref> | ||
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+ | 如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射 极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个[[电阻]]R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了 。 | ||
===饱和导通=== | ===饱和导通=== | ||
− | 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通 | + | 当加在三极管[[ 发射结]] 的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极[[ 电流]] 不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 |
− | |||
+ | 根据三极管工作时各个电极的[[电位]]高低,就能判别三极管的工作状态,因此,电子维修人员在维修过程中,经常要拿多用电表测量三极管各脚的[[电压]],从而判别三极管的工作情况和工作状态。 | ||
=='''产品命名'''== | =='''产品命名'''== | ||
− | 国产 | + | [[File:20090513202217-389476490.jpg|缩略图|350px|[https://image.so.com/view?q=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&src=srp&correct=%E4%B8%89%E6%9E%81%E7%AE%A1&ancestor=list&cmsid=0f08c791a8f367604f9d467f88089e74&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=122&adstar=0&clw=246#id=767de6228ad311c3e446850b5167ee99&prevsn=122&currsn=182&ps=222&pc=60 原图链接][https://wenwen.sogou.com/z/q131784965.htm 图片来源于搜狗网]]] |
− | + | ||
− | 第一部分 | + | 国产 三极管的 型号命名 由五部分 组成 。 |
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− | + | 第一部分用数字 “3” 表示 主称和三 极 管。 | |
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− | + | 第二部分 用字母表示 三极管 的材料和极性 。 | |
− | + | ||
− | 用字母表示 | + | 第三部分 用字母表示 三极管的 类 别。 |
− | 用 | + | |
− | 用数字表示 | + | 第四部分 用数字表示 同一类型产品的 序号 。 |
− | 用 | + | |
− | + | 第五部分 用字母表示规格号 。 | |
− | + | ||
− | + | 国产三 极管 命名方式 例:3DD21<ref>[http://blog.sina.com.cn/s/blog_63397c470100sujs.html 三极 管 命名],新浪网,2011-07-17 </ref> | |
− | + | ||
− | + | 一、“3”表示三极 管 | |
− | + | ||
− | + | 二、“D”表示 材料 及导电类 型 | |
− | + | ||
− | + | A : PNP [[ 锗]] 管 、B: NPN 锗管 、C: PNP [[ 硅]] 管 、D: NPN 硅管 | |
− | + | ||
− | + | 三、“D”表示性能参数 | |
− | + | ||
− | + | X : 低频小[[ 功率]] 、G: 高频小功率 、D: 低频大功率 、A: 高频大功率 、K: 开关 管 | |
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− | + | 四、“21”表示产品序号 | |
− | + | ||
− | + | =='''相关视频'''== | |
− | + | 1、三极管测量 | |
− | + | {{#ev:youku|XNDMyMTg3NDY4OA|440|inline|三极管测量 |frame}}<div style="float:right; margin:-10px 0 0 20px;"> | |
− | + | 2、《三极 管 工作原理》微课 | |
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− | A | + | {{#ev:youku|XMzAxMTkzMjY0NA|440|inline|《三极 管 工作原理》微课 |frame}}</div> |
− | PNP锗 | + | |
− | + | == '''參考來源''' == | |
− | + | {{Reflist}} | |
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− | NPN锗 | + | [[Category: 300 科学类]] [[Category:330 物理學總論]] |
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於 2021年5月31日 (一) 21:53 的最新修訂
三極管
三極管 | |
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三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。
三極管是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。[1]
目錄
基本介紹
中文名 :三極管
外文名: Bipolar Junction Transistor
別名 :晶體三極管
發明時間 :1947年
材 料 :半導體
作用:實現電流放大功能 、控制電路
文字符號:NPN和PNP
發展歷史
1947年12月23日,美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室里,3位科學家——巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士在緊張而又有條不紊地做着實驗。他們在導體電路中正在進行用半導體晶體把聲音信號放大的實驗。3位科學家驚奇地發現,在他們發明的器件中通過的一部分微量電流,竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流,因而產生了放大效應。這個器件,就是在科技史上具有劃時代意義的成果——晶體管。因它是在聖誕節前夕發明的,而且對人們未來的生活發生如此巨大的影響,所以被稱為「獻給世界的聖誕節禮物」。這3位科學家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學獎。
新研究發現,在晶體管電子流出端的襯底外,沉積一層對應材料,能形成一個半導體致冷P-N結構,因為N材料的電子能級低,P材料的電子能級高,當電子流過時,需要從襯底吸入熱量,這就為晶體管核心散熱提供一個很好的途徑。因為帶走的熱量會與電流的大小成正比例,業內也稱形象地把這個稱為「電子血液」散熱技術。根據添加新材料的極性位置不同,新的致冷三極管分別叫做N-PNP或NPN-P。
晶體管促進並帶來了「固態革命」,進而推動了全球範圍內的半導體電子工業。作為主要部件,它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到應用,並產生了巨大的經濟效益。由於晶體管徹底改變了電子線路的結構,集成電路以及大規模集成電路應運而生,這樣製造像高速電子計算機之類的高精密裝置就變成了現實。
基本結構
晶體三極管是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結,排列方式有PNP和NPN兩種。半導體三極管,也稱為晶體管,它是由三層半導體製成的兩個PN結組成。從三塊半導體上各引出一根導線是晶體管的三個電極,它們分別叫做發射極e,基極b和集電極c。每塊對應的半導體稱為發射區,基區和集電區。
發射區和集電區均為N型半導體,不同的是,發射區比集電區摻入的雜質多,在幾何尺寸上,集電區的面積要遠比發射區的大。而基區在發射區和集電區之間。
發射區和基區之間的PN結叫發射結,集電區和基區之間的PN結叫集電結。基區很薄,而發射區較厚,雜質濃度大,PNP型三極管發射區"發射"的是空穴,其移動方向與電流方向一致,故發射極箭頭向里;NPN型三極管發射區"發射"的是自由電子,其移動方向與電流方向相反,故發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。[2]
產品分類
2.按結構分: NPN 、 PNP
3.按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等.
4. 按功率分:小功率管、中功率管、大功率管
5.按工作頻率分:低頻管、高頻管、超頻管
6.按結構工藝分:合金管、平面管
7.按安裝方式:插件三極管、貼片三極管
產品參數
1、特徵頻率
當f= fT時,三極管完全失去電流放大功能。如果工作頻率大於fT,電路將不正常工作。fT稱作增益帶寬積,即fT=βfo。若已知當前三極管的工作頻率fo以及高頻電流放大倍數,便可得出特徵頻率fT。隨着工作頻率的升高,放大倍數會下降.fT也可以定義為β=1時的頻率.
2、電壓/電流
用這個參數可以指定該管的電壓電流使用範圍。
3、電流放大倍數hFE
4、集電極發射極反向擊穿電壓,表示臨界飽和時的飽和電壓VCEO。
5、最大允許耗散功率PCM。
管型和管腳判斷
目測法
管型的判別
一般管型是NPN還是PNP應從管殼上標註的型號來辨別。依照部頒標準,三極管型號的第二位(字母),A、C表示PNP管,B、D表示NPN管。
例如:3AX 為PNP型低頻小功率管 3BX 為NPN型低頻小功率管
3CG 為PNP型高頻小功率管 3DG 為NPN型高頻小功率管
3AD 為PNP型低頻大功率管 3DD 為NPN型低頻大功率管
3CA 為PNP型高頻大功率管 3DA 為NPN型高頻大功率管
此外有國際流行的9011 ~ 9018系列高頻小功率管,除9012和9015為PNP管外,其餘均為NPN型管。
用萬用表電阻檔判別
三極管內部有兩個PN結,可用萬用表電阻檔分辨e、b、c三個極。在型號標註模糊的情況下,也可用此法判別管型。[3] 1、基極的判別
判別管極時應首先確認基極。對於NPN管,用黑表筆接假定的基極,用紅表筆分別接觸另外兩個極,若測得電阻都小,約為幾百歐~幾千歐;而將黑、紅兩表筆對調,測得電阻均較大,在幾百千歐以上,此時黑表筆接的就是基極。PNP管,情況正相反,測量時兩個PN結都正偏的情況下,紅表筆接基極。 實際上,小功率管的基極一般排列在三個管腳的中間,可用上述方法,分別將黑、紅表筆接基極,既可測定三極管的兩個PN結是否完好(與二極管PN結的測量方法一樣),又可確認管型。
2、 集電極和發射極的判別
確定基極後,假設餘下管腳之一為集電極c,另一為發射極e,用手指分別捏住c極與b極(即用手指代替基極電阻Rb)。同時,將萬用表兩表筆分別與c、e接觸,若被測管為NPN,則用黑表筆接觸c極、用紅表筆接e極(PNP管相反),觀察指針偏轉角度;然後再設另一管腳為c極,重複以上過程,比較兩次測量指針的偏轉角度,大的一次表明IC大,管子處於放大狀態,相應假設的c、e極正確。
元件的作用
晶體三極管具有電流放大作用,其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數,用符號「β」表示。電流放大倍數對於某一隻三極管來說是一個定值,但隨着三極管工作時基極電流的變化也會有一定的改變。
工作狀態
截止狀態
當加在三極管發射結的電壓小於PN結的導通電壓,基極電流為零,集電極電流和發射極電流都為零,三極管這時失去了電流放大作用,集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態,我們稱三極管處於截止狀態。
放大狀態
當加在三極管發射結的電壓大於PN結的導通電壓,並處於某一恰當的值時,三極管的發射結正向偏置,集電結反向偏置,這時基極電流對集電極電流起着控制作用,使三極管具有電流放大作用,其電流放大倍數β=ΔIc/ΔIb,這時三極管處放大狀態。
三極管的放大作用就是:集電極電流受基極電流的控制(假設電源 能夠提供給集電極足夠大的電流的話),並且基極電流很小的變化,會引起集電極電流很大的變化,且變化滿足一定的比例關係:集電極電流的變化量是基極電流變 化量的β倍,即電流變化被放大了β倍,所以我們把β叫做三極管的放大倍數(β一般遠大於1,例如幾十,幾百)。[4]
如果我們將一個變化的小信號加到基極跟發射 極之間,這就會引起基極電流Ib的變化,Ib的變化被放大後,導致了Ic很大的變化。如果集電極電流Ic是流過一個電阻R的,那麼根據電壓計算公式 U=R*I 可以算得,這電阻上電壓就會發生很大的變化。我們將這個電阻上的電壓取出來,就得到了放大後的電壓信號了。
飽和導通
當加在三極管發射結的電壓大於PN結的導通電壓,並當基極電流增大到一定程度時,集電極電流不再隨着基極電流的增大而增大,而是處於某一定值附近不怎麼變化,這時三極管失去電流放大作用,集電極與發射極之間的電壓很小,集電極和發射極之間相當於開關的導通狀態。三極管的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。
根據三極管工作時各個電極的電位高低,就能判別三極管的工作狀態,因此,電子維修人員在維修過程中,經常要拿多用電錶測量三極管各腳的電壓,從而判別三極管的工作情況和工作狀態。
產品命名
國產三極管的型號命名由五部分組成。
第一部分用數字「3」表示主稱和三極管。
第二部分用字母表示三極管的材料和極性。
第三部分用字母表示三極管的類別。
第四部分用數字表示同一類型產品的序號。
第五部分用字母表示規格號。
國產三極管 命名方式 例:3DD21[5]
一、「3」表示三極管
二、「D」表示材料及導電類型
A: PNP 鍺管、B: NPN 鍺管、C: PNP 硅管、D: NPN 硅管 三、「D」表示性能參數
X: 低頻小功率 、G: 高頻小功率、D: 低頻大功率、A: 高頻大功率、K: 開關管
四、「21」表示產品序號
相關視頻
1、三極管測量
2、《三極管工作原理》微課
參考來源
- ↑ 三極管工作原理介紹,NPN和PNP型三極管的原理圖與各個引腳介紹,電子發燒友網,2017年04月25日
- ↑ 三極管各極有什麼區別,怎麼辨認,百度經驗網,2018-06-07
- ↑ 三極管管型、管腳和性能測量方法,電子原件技術網,2019-06-20
- ↑ 三極管工作原理介紹,NPN和PNP型三極管的原理圖與各個引腳介紹,電子發燒友網,2017年04月25日
- ↑ 三極管命名,新浪網,2011-07-17