{{Infobox person| 姓名 = 半导体|圖片 = [[File:T016e0a8f3b653e5075.jpg|缩略图|居中|250px|[https://image.so.com/view?q=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&src=srp&correct=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&ancestor=list&cmsid=dcf179a52a5caa6113503b96980c76c2&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=110&adstar=0&clw=246#id=b79f5852e4b7c74d528a3ea017f47c98&currsn=0&ps=97&pc=97 原图链接][http://www.zonglanxinwen.com/img/fc1c4c2b5ecccb5bbe0b.html 图片来源于纵览新闻网]]]|圖片尺寸 = | 圖像說明 = | 发现日期 = 1833年| 性质 =  物理材料| 别名 = | 导电性 = 导体与绝缘体之间| 知名原因 =  集成电路的主要材料| 代表材料 =  硅、锗、砷化镓}}'''半导体'''（ semiconductor），指常温下[[导电]]性能介于[[导体]]（conductor）与[[绝缘体]]（insulator）之间的材料。

半导体在[[收音机]]、[[电视机]]以及测温上有着广泛的应用。如[[二极管]]就是采用半导体制作的器件。半 导体(conductor) 是指 一种[[导电]]性可受控制，范围可从[[绝缘体]]至[[导体]]之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如[[计算机]]、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有[[硅]]、[[锗]]、[[砷化镓]]等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。<ref>[http://tags.eeworld.com.cn/tags/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93 半导体],电子工程世界网</ref>=='''基本信息'''=={| class="wikitable"|-|中文名称 || 半导体 || 物质形式|| 气体、等离子体等|-|外文名称|| semiconductor ||   应用 ||  集成电路|-|导电性能  ||  导体与绝缘体之间||发现时间 || 1833年|-|代表材料 || 硅、锗、砷化镓|| 电阻率 很小且易 ||10-3～10-9 W•cm|}=='''半导体的概念'''==[[File:Ef550a74a66f42e0960b7a3085985c21 th.jpg|缩略图|350px|[https://image.so.com/view?q=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&src=srp&correct=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&ancestor=list&cmsid=ceb17984a65019f3d334ffaa12f38c2a&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=110&adstar=0&clw=246#id=ff6fec07e39ef92fc7f5eb96be0cac87&prevsn=110&currsn=170&ps=216&pc=60 原图链接][http://www.sohu.com/a/124346281_465246 图片来源 于 传 搜狐网]]] 所谓半导体，顾名思义，就是它的 导电 流 能力介乎[[导体]]和[[绝缘体]]之间，半导体 的 [[电阻率]]为10-3～10-9 W•cm。  [[ 物质 ]]存在的形式多种多样，[[固体]]、[[液体]]、[[气体]]、等[[离子]]体等 。 通常把 导 电性差的材料，如煤、人工晶 体 中存在大量 、[[琥珀]]、[[陶瓷]]等称为[[绝缘体]]。而把导电性比较好的[[金属]]如金、银、铜、铁、锡、铝等称为[[导体]]。 可 自由移动 以简单的把介于导体和绝缘体之间 的 带电粒子 材料 称为 载流子 半导体 。 与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存 在 才真正被学术界认可。半导体材料最 外 层[[ 电 场作用下，载流 子 作定向运动，形 ]]既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚, 成 明显 为[[自由电子]], 也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧, 因此, 半导体 的 导 电 流 特性介于二者之间 。

金属是最常见的一类导体。金属原子最外层的价电子很容易挣脱原子核的束缚，而成为自由电子，留下的正离子(原子实)形成规则的点阵。金属中自由电子的浓度很大，所以金属导体的电导率通常比其他 =='''半 导体材料 的大。金属导体的电阻率一般随温度降低而减小。在极低温度下，某些金属与合金的电阻率将消失而转化为"超导体"。'''==

半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的[[电子]]材料，其[[电阻率]]在10（U-3）~10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的[[电导率]]。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。 <ref>[http://download.eeworld.com.cn/detail/nonogugu66/197396 半导体材料相关知识介绍],电子工程世界网，2013-09-22</ref> 常见的半导体材料有[[硅]]、[[锗]]、[[砷化镓]]等。用得最多的半导体是锗（zhě）和硅（guī），都是四价[[元素]]。 一种银白色的硬而脆的金属元素,呈二价及四价,用作半导体(如在[[晶体管]]中) [germanium]――元素符号Ge 锗 zhě金属[[化学]][[元素]]。符号Ge。灰白色结晶，有光泽。它是一种重要的半导体材料。主要用于制[[晶体管]]、[[整流器]]等。<ref>[http://tags.eeworld.com.cn/tags/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93 半导体],电子工程世界网</ref>==''' 基 半导体的类型'''==[[File:D80e06717e4f5c714ce4a95169967427.png|缩略图|350px|[https://image.so.com/view?q=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&src=srp&correct=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&ancestor=list&cmsid=ceb17984a65019f3d334ffaa12f38c2a&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=110&adstar=0&clw=246#id=def5b4b9e33a99df9b4ae5b5df50fc9d&currsn=0&ps=97&pc=97 原图链接][http://dy.163.com/v2/article/detail/CRV79ENH0519C3OK.html 图片来源于网易网]]] 本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为[[本征半导体]]。 参杂半导体：通过扩散工艺，在 本 信息征半导体中掺入少量合适的杂质[[元素]]，可得到杂质半导体。 =='''发展历史'''== 1833年，[[英国]][[巴拉迪]]最先发现[[硫化银]]的电阻随着[[温度]]的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现[[硫化银]]材料的[[电阻]]是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 1839年[[法国]]的[[贝克莱尔]]发现半导体和[[电解质]]接触形成的结，在光照下会产生一个[[电压]]，这就是后来人们熟知的光生[[伏特]]效应，这是被发现的半导体的第二个特征。 1873年，[[英国]]的[[史密斯]]发现[[硒]][[晶体]]材料在光照下电导增加的[[光电导效应]]，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia[[霍尔效应]]的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被[[考尼白格]]和[[维斯]]首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。 1874年，[[德国]]的[[布劳恩]]观察到某些[[硫化物]]的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向[[电压]]，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的[[整流]]效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了[[铜]]与[[氧化铜]]的[[整流]]效应。 2015年中国在公布的“中国制造2025”战略中提出培育半导体产业。为此，中国地方政府竞相利用优惠政策吸引国内外的半导体相关企业。

2018年4月11日，[[复旦大学]]微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行切割。张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的[[二维半导体]]准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术。 中 文名称 国大型半 导体企业紫光集团旗下的长江存储科技在[[湖北省]][[武汉市]]推进的[[三维NAND]]的量产项目，爱德万测试的销售负责人称“估计将在2018年底到2019年迅速实现量产”。

适用学科范围 半导体五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负[[ 电 磁学 阻率]][[温度]]特性 ， 科学,电学[[整流]]特性。

在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入 特 点 定的杂质元素，导 电 阻率很小且易于传 性能具有可控性。在光照和热[[辐射]]条件下，其 导电 流性有明显的变化。

=='''第一 有机半导体材料具有热激活[[电导率]]，如[[萘蒽]]，[[聚丙烯]]和[[聚二乙烯苯]]以及[[碱金属]]和[[蒽]]的[[络合物]]，有机半导体材料可分为[[有机物]]，[[聚合物]]和给体受体[[络合物]]三 类 。有机半 导体'''==芯片等产品的生产能力差，但是拥有加工处理方便，结实耐用，成本低廉，耐磨耐用等特性。

金属是最常见 非晶半导体按键合力 的 一类 性质分为[[共价键]]非晶半 导体 。金属中的原子核 和 内层电 [[离 子 构成原子实 键]]非晶半导体两类 ， 规则地排列成点阵，而外层 可用液相快冷方法和真空蒸汽或溅射 的 价电子容易挣脱原子核的束缚而成为自由电子 方法制备。在工业上 ， 它们构成 非晶半 导 体材料主要用于制备像[[传感器]]，[[太阳能]][[锂 电 的载流子 池]]薄膜[[晶体管]]等非晶体半导体器件 。

金属中自由电子的浓度很大 [[化合物]]半导体材料种类繁多，按[[元素]]在[[周期表]]族来分类，分为三五族 ， 每立方厘米约10个 二六族 ， 因此金属 四四族等。如今化合物半 导体 的 材料已经在太阳能 电 阻率很小 池 ， 光 电 器件，超高速器件，微波等领域占据重要位置，且不同种类具有不同的应用。总之，半 导 率很大。金属 体材料 的 电阻率为10-10欧·米 发展迅速 ， 一般随温度降低而减小。金属导电过程中不引起化学反 应 用广泛 ， 也没有显著 随着时间 的 物质转 推 移 和技术的发展 ， 称为第一类 半导体材料的应用将更加重要和关键，半导体技术和半 导体 材料的发展也将走向更高端的市场 。

当前化合物半导体产业发展主要体现在以下五个方面。[[File:20160427125915748.jpg|缩略图|350px|[https://image.so.com/view?q=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&src=srp&correct=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&ancestor=list&cmsid=ceb17984a65019f3d334ffaa12f38c2a&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=110&adstar=0&clw=246#id=a2b3cb7ef1645e9142e3b5697825cfec&currsn='''第二类 0&ps=97&pc=97 原图链接][http://ic.big-bit.com/news/224674.html 图片来源于半 导体'''==器件应用网]]]

1.消费类光 电 解质的溶液或称为 子。光存贮、数字 电 解液的熔融 视与全球家用 电 解质也是导体，其载流子是正负离 子 。实验发现，大部分纯液体虽然也能离解，但离解程度很小，因而不是导体。如纯水 产品装备无线控制和数据连接 的 电阻率 比例越来越 高 达10欧·米 ， 比金属的电阻率大10-10倍 音视频装置日益无线化 。 但如果在纯水中加入一点电解质，离子浓度大为增 再 加 ，使电阻率大为降低，成为导体。电解液的 上笔记本 电 阻率比金属 脑 的 大得多 普及 ，这 是因为电解液中的载流子浓度比金属小得多，而且离子与周围介质 类产品 的 作用力较大，使它在外电 市 场 中的迁移率也要小得多。电解液在通电过程中伴随有化学变 为 化 ，且有 合 物 质的转移，称为第二类 半 导体 。它常 产品的 应用 于电化学工业，如电解提纯、电镀等。而把导电过程中不引起化学变化，也没有显著物质转移 带来了庞大 的 导体，如金属，称为"第一类导体" 新市场 。

电离的气体也能 3.半 导 电(气 体 导电)，其中 照明技术 的 载流子 是电子和正负离子。通常情形下，气体是良好的绝缘体 迅猛发展 。 如果借助 基 于 外界原因，如加热或用X射线、γ射线或紫外线照射，可使气体分子离解，因而电离的气体便成为 半 导体 。电离气体 发光二极管（LED） 的 半 导 电性与外加电压有很大关系，且常伴有发声、发光等物理过程。电离气 体 常应用于电 光源 制造工业。气体由于外界电离剂作用下的导电称为气 具有 体 的非自持放电。随着外加电压增大，电流亦增大，电压增大到一定值时非自持放电达到饱和，继续再增加电压到某一定值后电流突然急剧增加，这时即使撤去电离剂，仍能维持导电，气体就由非自持放电过渡到自持放电。气体自持放电的特性取决于气体的种类 积小 、 压强 发热量低 、 耗 电 极材料 量小 、 电极形状 寿命长 、 电极温 反应速 度 快 、 两极间距离等多种因素。条件 环保、耐冲击 不 同 易破、废弃物可回收 ， 自持放电采取不同的形式 没有污染 ， 有辉光放电 可平面封装 、 弧光放电和电晕放电 易开发成轻薄短小产品 等 。气体 优点，具有重大 的 非自持放电 经济技术价值 和 自持放电有许多实际应用 市场前景 。

==其他 特别是基于[[LED]]的半 导 体照明产品具有高效节能、绿色环保优点 ，目前LED已广泛用于大屏幕显示、交通信号灯、手机背光源等，开始应用于城市夜景美化亮化、景观灯、地灯、手 电 介质==筒、指示牌等，随着单个LED亮度和发光效率的提高，即将进入普通室内照明、[[台灯]]、[[笔记本电脑]]背光源、LCD显示器背光源等，因而具有广阔的应用前景和巨大的商机。

电的绝缘体又称为电介质 4.新一代[[光纤通信]]技术 。 它们的电阻率极高 新一代的40Gbps光通信设备不久将会推向市场 ， 比金属的电阻率大10倍以上 代替25Gbps设备投入大量使用 。 绝缘体在某 而这 些 外界条件(如加热 设备中将大量使用[[磷化铟]]、[[砷化镓]] 、 加高压 [[锗]][[硅]] 等)影响下，会被"击穿"，而转 [[ 化 为 合物]]半 导体 。绝缘体或 集成 电 介质的主要电学性质反映在电导、极化、损耗和击穿等过程中 路 。

5.移动通信技术正在不断朝着有利于化合物半导体产品的方向发展。目前二代半（2.5G）技术成为移动通信技术的主流，同时正在逐渐向第三代（3G）过渡。二代半技术对功放的效率和散热有更高的要求，这对[[砷化镓]]器件有利。3G技术要求更高的工作频率，更宽的带宽和高线性，这也是对砷化镓和锗硅技术有利的。目前第四代（4G）的概念已明确提出来了。[[4G技术]]对手机有更高的要求。它要求手机在楼内可接入无线局域网（WLAN），即可工作到2.4GHz和5.8GHz，在室外可在二代、二代半、三代等任意制式下工作。  因此这是一种多功能、多频段、多模式的移动终端。从系统小巧来说，当然会希望实 现 今通常 单芯片集成（SOC），但单一的硅技术无法在那么多功能和模式上都达到性能最优。要 把 例如 各种优化性能的功能集成在一起，只能用系统级封装（SIP），即在同一封装中用[[硅]]、 锗(Ge) 硅 、 硅(Si) 砷化镓 等 不同工艺来优化实现不同功能，这就为[[砷化镓]]带来了新的发展前景。<ref>[http://www.elecfans.com/baike/bandaoti/20180308644581.html 半导体材料应用有哪些_半导体材料应用领域介绍],电子发烧友网，2018年03月08日</ref>=='''半导体材料的发展'''== [[File:O4YBAFsFNfuAcvNcAACi-nMs13E065.jpg|缩略图|350px|[https://image.so.com/view?q=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&src=srp&correct=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&ancestor=list&cmsid=ceb17984a65019f3d334ffaa12f38c2a&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=110&adstar=0&clw=246#id=db61e1f6b07dcf0bc001d8fbc61f9b44&currsn=0&ps=97&pc=97 原图链接][http://www.elecfans.com/bandaoti/gongyi/20180523682433.html 图片来源于电子发烧友网]]] ===第 一 类 代半 导体 称 材料=== 主要以[[硅]]（Si）、[[锗]]（Ge） 为 主，20世纪50年代，Ge在 半导体 中占主导地位，主要应用于低压、低频、中功率[[晶体管]]以及光电探测器中，但是Ge半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被Si器件取代 。  用Si材料制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好。Si储量极其丰富，提纯与结晶方便，二氧化硅（SiO2）薄膜的纯度很高，绝缘性能很好， 这 类 使器件的稳定性与可靠性大为提高，因此Si已经成为应用最广的一种半导体材料。 目前95%以上的半 导体 器件和99%以上 的 集成 电 阻 路都是由Si材料制作。在21世纪，它的主导和核心地位仍不会动摇。但是Si材料的物理性质限制了其在光电子和高频高功 率 介乎金属与绝缘 器件上的应用。 ===第二代半导 体 之间 材料=== 20世纪90年代以来 ， 且 随 温度 着移动通信的飞速发展、以[[光纤通信]]为基础 的 升 信息 高 而迅 速 减小。这类 公路和[[互联网]]的兴起，以[[砷化镓]]（GaAs）、[[磷化铟]]（InP）为代表的第二代半导体材料开始崭露头脚。GaAs、InP等 材料 中存在一定量的自由 适用于制作高速、高频、大[[功率]]以及发光 电子 和空穴 器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信、[[GPS导航]]等领域。但是GaAs、InP材料资源稀缺，价格昂贵，并且还有毒性 ， 后者 能污染环境，InP甚至被认为是 可 看作带 疑致癌物质，这些缺点使得第二代半导体材料的应用具 有 正电荷 很大 的 载流子 局限性 。 与  ===第三代半导体材料=== 主要包括[[SiC]]、[[GaN]]、[[ 金 属 刚石]]等，因其禁带宽度（Eg）大于 或 等于2.3[[ 电 解液的情况不同 子]][[伏特]]（eV），又被称为宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比 ， 第三代 半导体 中杂质的含量 材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频 以及 外界 抗辐射等恶劣 条件的 改变(如 新要求。 是半导体材料领域最有前景的材料，在[[国防]]、[[航空]]、[[航天]]、[[石油]]勘探、 光 存储等领域有着重要应用前景，在宽带通讯、[[太阳能]]、汽车制造、半导体 照 ，或温度 明 、 压强 智能电网等众多战略行业可以降低50%以上 的 改变等) 能量损失 ， 都会 最高可以 使 它 装备体积减小75%以上，对人类科技的发展具有里程碑 的 意义。<ref>[http://dy.163.com/v2/article/detail/CRV79ENH0519C3OK.html 中科风控：第三代半 导 电性能发生显著变 体材料——碳 化 。硅（SiC）],网易网，2017-08-16</ref> =='''半导体领域十大突破'''== [[File:635870922356392440842.jpg|缩略图|350px|[https://image.so.com/view?q=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&src=srp&correct=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%90%E6%96%99&ancestor=list&cmsid=ceb17984a65019f3d334ffaa12f38c2a&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=110&adstar=0&clw=246#id=e5a1d0d832aa35c90d452453007f157a&currsn=0&ps=97&pc=97 原图链接][http://www.ybzhan.cn/news/Detail/52802.html 图片来源于仪表网]]] 一、硅基导模量子集成光学芯片研制成功

指导电材料在温度接近绝对零度的时候， 二、首个打破 物 理极限的1nm[[晶 体 分子热运动下材料的电阻趋近于0的性质。"超导体"是指能进行超导传输的导电材料。管]]诞生

==''' 四、“[[石墨]]烯之父”发现比石墨烯更好的半 导体 材料'''=====金属材料===——[[硒化铟]]（InSe）

五、人类首次飞秒拍摄到了半 导 电 体 材料 是用以传递电流而又没有或很小电能损失 内部 的 材料，主要以电线、电缆为代表。随着 [[ 电子 工业的发展，传送弱电流的导电涂料、胶粘剂和透明导电材料等的应用也十分广泛。导电材料的基本性质以电阻率表征。]]运动

电线 六 、 电缆所用材料主要是铜、铝及其合金。铜作为 [[美国]]犹他大学工程师最新发现新型[[二维半 导 电 体 材料 大都是电解铜，含铜量为99.97%一99.98%，含有少量金属杂质和氧，其中的杂质会降低电导率，铜中含有氧也使产品性能大大下降。 ]] 一 种无 [[ 氧 铜性能稳定、抗腐蚀、延展性好、抗疲劳，可拉成很细的丝，适合于做海底同轴电缆的外部软线，也可用于太阳能电池。化锡]]（SnO）

铝导线与铜导线相比，电导率低，但其质量轻，相对密度只 七、[[德国]]开发出新型 有 铜的1/3，这是铝导线的一大优点。主要用作送电线和配电线。对于160kV以上的高压电线，往往用钢丝增强的铝电缆或铝合金线。  ===电阻元件===机无机杂化“[[人工树叶]]”

电力 八 、 电子工业方面应用的电阻元件，其阻抗性质大都是欧姆 新 型 的（纯电阻）。电子方面要求的电阻值范围在103Ω—108Ω之间，要求用于制作电阻的 无机半导体 材 料电阻率ρ<10-6Ω·m，做成的电子元件的电阻值稳定，温度系数小。还有 料SnIP具有DNA 的 电阻元件是用于做电热元件或发光元件。双螺旋结构

用来做电阻的金属材料有电子线路应用的精密电阻合金，如锰-铜合金，铜-镍合金。后者的电阻温度系数最小。这类合金的最终热处理是均匀退火，尤其在做成 九、首块纳米晶体“墨水”制 成 品以后，还要进行一次低温长时间退火，以保证电学性能稳定。用来做发热元件 的 金属材料是镍-铬合金和铁-铬-铝合金。 [2] ===固 晶 体 电解质===管问世

根据物质在溶解或熔融状态下是否导电，人们将其分为电解质和非电解质两大类。如盐（NaCl）就是典型的电解质，糖就是非电解质。但在20世纪60年代初，人们发现还有些物质在低于熔点温度下的固体状态，也有高的离子导电特性，这类物质就叫做固体电解质。固体电解质导电的本质在于内部带电氧离子的运动。晶格结构不同，离 十、美国科学家设计超材料以光 子 排列方 形 式 不同，对氧离子的活动 释放 能 力有很大影响。另外，如果晶格完美无缺，离子运动也较困难，若通过掺杂的方法产生大 量 缺陷就能提高电 传递信息<ref>[http://www.sohu.com/a/124346281_465246 2016年半 导 率。体材料领域十大突破],搜狐网，2017-01-15</ref>

== '''外部連結''' ==*[http://www.sohu.com/a/124346281_465246 固体电解质在高技术中有重要作用，如氧化锆陶瓷固体电解质就是燃料电池的心脏；还可以做磁流 半导 体 发电机的电极 材料 ；电解水制氢中的隔膜采用的也是固体电解质，它还可以用来制成氧敏元件，广泛用于汽车尾气检测、金属冶炼过程中氧的在线分析等。 [领域十大突破]

*[http://www.ybzhan.cn/news/Detail/52802.html 二维半导体制备及非线性光学特性研究获突破]===导电高分子材料与电子浆料='''參考來源''' =={{Reflist}}

[[Category:300 高分子材料属于共价键结合的大分子链结构，电子被紧紧束缚，属于绝缘材料。随着 科 學類]][[Category:330 物理 学 技术的发展，人们采用多种技术使某些高分子材料也具有了导电性。可以将高分子导电材料分为3类：抗静电表面活性剂、导电材料（碳、金属粉）与高分子材料复合、结构型导电高分子材料。另外，由于电子技术的特殊要求，电子浆料也成为一种重要的新型材料。 [2总论]] 参考资料