快闪记忆体(NAND Flash)查看源代码讨论查看历史

Nand Flash
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快闪记忆体Nand Flash是Flash的一种技术规格，Nand Flash型的Cell是彼此相连，仅第一个及最后一个Cell分别与Work Line、BIT Line相连，因此Nand Flash架构储存容量较Nor Flash高。Nand Flash的容量较大，改写速度快，主要应用在大量资料的储存，容量最高达128Mb，产品包括数位相机、MP3随身听的记忆卡等。NAND Flash的基本存储单元是页(Page)，NAND Flash的页类似硬碟的磁区，硬碟的1个磁区也为512位元组，而每页的有效容量是512位元组的倍数。所谓的有效容量是指用于资料存储的部分，实际上还要加上16位元组的校验资讯，因此用(512+16)Byte表示。NAND是以块为单位进行擦除，快闪记忆体的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有资料，必须先擦除后写入，因此擦除操作是快闪记忆体的基本操作。NAND Flash技术从最早期的SLC(Single-Level Cell)世代，1个记忆体储存单元(cell)存放1位元(bit)的资料，到MLC(Multi-Level Cell)中，1个记忆体储存单元存放2位元，2009年开发TLC(Triple-Level Cell)，1个记忆体储存单元可存放3位元。

快闪记忆体属于非挥发性记忆体 (NVRAM ) 的一种，瞬间便可更改内部资料，电源关闭后，储存在其内的资料不会流失为目前最热门的新一代记忆体技术，平常使用状况下，Flash Memory 为唯读记忆体，但在特别软、硬体驱动下，可以对其写入资料，且可多次重复写入。Flash memory或是 Flash　ROM快闪记忆体,是目前最新的一种ROM型式(不过其内部材料已和最早的ＲＯＭ大相不同)是在１９８０年代由英特尔公司推出,主要用以替代ＥＥＰＲＯＭ,做为系统程式储存及记录(Code Storage),且注重在指令的快速读取及对系统的开机管理,快闪记忆体并不需要不断充电来维持其中的资料,但是每当资料更新时必须以blocks为单位加以覆盖,而非一个byte或一个byte来写入,Block的大小从２５６ｋｂ到２０ＭＢ不等。快闪记忆体由ＥＥＰＲＯＭ演化而来,但是价格较便宜且位元密度较高,所以会成为ＥＷＥＰＲＯＭ的替代品。目前快闪记忆体多用于ＰＣ　Ｃａｒｄ记忆卡,主机板和Ｓｍａｒｔ　Ｃａｒｄ。近年来,随著写入速度高容量及单位位元价格下降等因素考量,对声音和影像等资料例如ＭＰ３的储存也成为快闪记忆体技术发展的另一主流。

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B6-20快闪记忆体M2U00439