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| − | {| class="https://image.baidu.com/search/detail?ct=503316480&z=0&ipn=d&word=MOS%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF&step_word=&hs=0&pn=62&spn=0&di=7077213605308923905&pi=0&rn=1&tn=baiduimagedetail&is=0%2C0&istype=0&ie=utf-8&oe=utf-8&in=&cl=2&lm=-1&st=undefined&cs=3603230993%2C3905650372&os=4010969574%2C830050975&simid=3603230993%2C3905650372&adpicid=0&lpn=0&ln=1585&fr=&fmq=1652702433994_R&fm=&ic=undefined&s=undefined&hd=undefined&latest=undefined©right=undefined&se=&sme=&tab=0&width=undefined&height=undefined&face=undefined&ist=&jit=&cg=&bdtype=0&oriquery=&objurl=https%3A%2F%2Fgimg2.baidu.com%2Fimage_search%2Fsrc%3Dhttp%3A%2F%2Fwww.pianshen.com%2Fimages%2F589%2Faebbfdc4afe2283222c94af40c26ee4d.png%26refer%3Dhttp%3A%2F%2Fwww.pianshen.com%26app%3D2002%26size%3Df9999%2C10000%26q%3Da80%26n%3D0%26g%3D0n%26fmt%3Dauto%3Fsec%3D1655294542%26t%3D1f60325a898e873004ba27882b444065&fromurl=ippr_z2C%24qAzdH3FAzdH3Fooo_z%26e3Brtwgfijg_z%26e3Bv54AzdH3Fw6ptvsjAzdH3F8m0989c8mm8AzdH3F&gsm=3f&rpstart=0&rpnum=0&islist=&querylist=&nojc=undefined" style="float:right; margin: -10px 0px 10px 20px; text-align:left"
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| − | |<center>'''MOS集成电路'''<br><img
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| − | src="https://gimg2.baidu.com/image_search/src=http%3A%2F%2Fwww.pianshen.com%2Fimages%2F589%2Faebbfdc4afe2283222c94af40c26ee4d.png&refer=http%3A%2F%2Fwww.pianshen.com&app=2002&size=f9999,10000&q=a80&n=0&g=0n&fmt=auto?sec=1655294542&t=1f60325a898e873004ba27882b444065 " width="280"></center><small> 圖片來自百度</small>
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| − | '''MOS集成电路'''是以金属-氧化物-半导体（MOS）场[[效应晶体管]]为主要元件构成的[[集成电路]]。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定。
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| − | MOS集成电路是一种常用的集成电路。最小单元是反相器，由两只金属一氧化物-半导体场效应晶体管组成。这种集成工艺主要用于[[数字集成电路]]的制造，电路集成度可以很高。<ref>[[夏征农，陈至立主编；干福熹编,大辞海 信息科学卷,上海辞书出版社,2015.12,第203页]]</ref>
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| − | *中文名:[[集成Mos管]]
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| − | *外文名:metal oxide semiconductor
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| − | *简 称:MOSIC
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| − | *主要元件:金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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| − | ==类型==
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| − | 按晶体管的沟道导电类型，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和[[N沟MOS晶体管]]结合成一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS 、NMOS和[[CMOS集成电路]]。随着工艺技术的发展，CMOS集成电路已成为集成电路的主流，工艺也日趋完善和复杂 ，由P阱或N阱CMOS发展到双阱[[CMOS工艺]]。80年代又出现了集双极型电路和互补金 属-氧化物-[[半导体]]（CMOS）电路优点的BiCMOS集成电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属（如钼、钨）栅等MOSIC，栅极尺寸已由微米进入亚微米（0.5～1微米）和强亚微米（0.5微米以下）量级 。此外，还发展了不同的MOS集成电路结构的MOSIC：如浮栅雪崩注入MOS（FAMOS）结构，用于可擦写只读[[存贮器]]；扩散自对准MOS（DMOS）结构和V型槽MOS结构等，可满足高速、高电压要求。近年来发展了以蓝宝石为绝缘衬底的CMOS结构，具有抗辐照、功耗低和速度快等优点。MOSIC广泛用于[[计算机]]、[[通信]]、[[机电仪器]]、[[家电自动化]]、航空航天等领域，可使整机体积缩小、工作速度快、功能复杂、可靠性高、功耗低和成本便宜等。
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| − | ==优点==
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| − | #制造结构简单，隔离方便。
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| − | #电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。
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| − | #MOS管为双向器件，设计灵活性高。
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| − | #具有动态工作独特的能力。
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| − | #温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作[[高速数字]]和[[模拟电路]]。
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| − | ==生产条件==
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| − | 除了集成电路技术本身之外，半导体车间对我国集成电路生产基础条件的发展也起了重要的推动作用。为了满足大规模集成电路生产对于设备的高精度和自动化要求，有很多关键设备都是自制的，例如[[高精度初缩机]]、[[扩散炉]]和[[三氯乙烯氧化系统]]、高速[[匀胶机]]、[[等离子刻蚀机]]等。有些设备是由半导体车间提出性能要求并进行试用改进，与其它单位协作生产，例如高精度分步重复精缩机就是与我校无线电系、精仪系协作定型生产的，这一精缩机成了当时国内集成电路厂普遍采用的设备。
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| − | 为了满足大规模集成电路制造对减少灰尘沾污的要求，半导体车间自己设计、自己采购材料、联系施工，对原来的800平方米实验室进行了净化改造，于1975年建成了350平方米、净化级别达到1000级和10000级的超净车间。这是当时国内集成电路生产用的第一个超净车间，它满足了大规模集成电路研制的需要，一直使用到1993年。
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| − | ==使用操作准则==
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| − | 1 不要超过手册上所列出的极限工作条件的限制。
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| − | 2 器件上所有空闲的输入端必须接 VDD 或 VSS，并且要接触良好。
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| − | 3 所有低阻抗设备（例如脉冲信号发生器等）在接到 CMOS 或 NMOS 集成电路输入端以前必然让器件先接通电源，同样设备与器件断开后器件才能断开电源。
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| − | 4 包含有 CMOS 和 NMOS 集成电路的[[印刷电路板]]仅仅是一个器件的延伸，同样需要遵守操作准则。从印刷电路板边缘的接插件直接联线到器件也能引起器件损伤，必须避免一般的塑料包装，印刷电路板接插件上的 CMOS 或 NMOS 集成电路的[[地址输入端]]或输出端应当串联一个[[电阻]]，由于这些[[串联电阻]]和[[输入电容]]的时间常数增加了延迟时间。这个电阻将会限制由于印刷电路板移动或与易产生静电的材料接触所产生的[[静电高压]]损伤。
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| − | 5 所有 CMOS 和 NMOS 集成电路的储存和运输过程必须采用抗静电材料做成的[[容器]]，而不能按常规将器件插入塑料或放在普通塑料的托盘内，直到准备使用时才能从抗静电材料容器中取出来。
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| − | 6 所有 CMOS 和 NMOS 集成电路应当放置在接地良好的工作台上，鉴于工作人员也能对工作台产出静电放电，所以工作人员在操作器件之前自身必须先接地，为此建议工作人员要用牢固的[[导电带]]将手腕或肘部与工作台表面连接良好。
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| − | 7 [[尼龙]]或其它易产生静电的材料不允许与 CMOS 和 NMOS 集成电路接触。
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| − | 8 在自动化操作过程中，由于器件的运动，传送带的运动和印刷电路板的运动可能会产生很高的静电压，因此要在车间内使用[[电离空气鼓风机]]和[[增湿机]]使室内相对湿度在 35% 以上，凡是能和集成电路接触的设备的顶盖、底部、侧面部分均要采用接地的金属或其它[[导电材料]]。
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| − | 9 冷冻室要用[[二氧化碳]]制冷，并且要放置隔板，而器件必须放在导电材料的容器内。
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| − | 10 需要扳直外引线和用手工焊接时，要采用手腕接地的措施，焊料罐也要接地。
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| − | 11 波峰焊时要采用下面措施：
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| − | a 、[[波峰焊机]]的焊料罐和传送带系统必须接真地。
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| − | b 、工作台采用导电的顶盖遮盖，要接真地。
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| − | c 、工作人员必须按照预防准则执行。
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| − | d 、完成的工件要放到[[抗静电容器]]中，优先送到下一道工序去。
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| − | 12 清洗印刷电路板要采用下列措施：
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| − | a 、[[蒸气去油剂]]和[[篮筐]]必须接真地，工作人员同样要接地。
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| − | b 、不准使用刷子和[[喷雾器]]清洗印数电路板。
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| − | c 、从清洗篮中拿出来的工件要立即放入蒸汽去油剂中。
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| − | d 、只有在工件接地良好或在工件上采用[[静电消除器]]后才允许使用高速空气和[[溶剂]]。
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| − | 13 必须有生产线监督者的允许才能使用[[静电监测仪]]。
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| − | 14 在通电状态时不准插入或拔出集成电路，绝对应当按下列程序操作：
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| − | a 、插上集成电路或印刷电路板后才通电。
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| − | b 、断电后才能拔出集成电路或印刷电路板。
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| − | 15 告诫使用 MOS 集成电路的人员，决不能让操作人员直接与[[电气]]地相连，为了安全的原因，[[操作人员]]与地气之间的[[电阻]]至少应有 100K。
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| − | 16 操作人员使用棉织品手套而不要用[[尼龙手套]]或[[橡胶手套]]。
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| − | 17 在工作区，禁止使用[[地毯]]。
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| − | 18 除非绝对必要外，都不准工作人员触摸 CMOS 或 NMOS 器件的引线端子。<ref>[https://baike.baidu.com/reference/829928/9bf0yyxxMBbHpPUPGxE4koMDgbMhuo8kY_0psRwubZmi4I0oej7vmNN8X4v7VqnNWDTbBhs0XwjhJ-dyvukpSKOcVeYdn67F7JAKK3hQyjktoUbT9g 江西电子信息产业门户-星光电子．2012-9-30，引用日期2013-05-07] </ref>
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| − | '''视频'''
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| − | '''郑栅洁调研集成电路产业：勇闯无人区，敢争天下强'''
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| − | {{#iDisplay:o08779xetkd | 560 | 390 | qq }}
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| − | ==参考文献==
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| − | [[Category:400 應用科學總論]]
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