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PECVD
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{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #FF2400" align= center| '''<big>PECVD</big>''' |- |<center><img src=https://p1.ssl.qhimg.com/t01adf802fde7af8eee.png width="300"></center> <small>[https://baike.so.com/gallery/list?ghid=first&pic_idx=1&eid=589416&sid=623952 来自 网络 的图片]</small> |- |- | align= light| |} PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等离子体增强化学的气相沉积法。是生产人造钻石的一种工艺,这种方法有很多优点,比如颜色等级高,成膜质量好等。 =='''简介'''== PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体[[电离]],在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD). 实验机理:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。 =='''评价'''== 优点 基本温度低;沉积速率快;成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。 缺点 1.设备投资大、成本高,对气体的纯度要求高; 2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害; 3.对小孔孔径内表面难以涂层等; 4.沉积之后产生的尾气不易处理。 例子:在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作为集成电路最后的钝化保护层,提高集成电路的可靠性。<ref>[http://news.10jqka.com.cn/field/sr/20220901/38189707.shtml PECVD]搜狗</ref> =='''参考文献'''== [[Category:330 物理學總論]]
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