例子：在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作为集成电路最后的钝化保护层，提高集成电路的可靠性。<ref>[httpshttp://baikenews.baidu10jqka.com.cn/itemfield/PECVD sr/20220901/38189707.shtml PECVD]搜狗</ref>