半導體電阻率
簡介
電阻率與晶向有關。對於各向異性的晶體，電導率是一個二階張量，共有27個分量。特別的，對於Si之類的具有立方對稱性的晶體，電導率可以簡化為一個標量的常數（其他二階張量的物理量都是如此）。電阻率的大小決定於半導體載流子濃度n和載流子遷移率μ：ρ=1/ nqμ。對於摻雜濃度不均勻的擴散區的情況，往往採用平均電導率的概念；在不同的擴散濃度分布（例如高斯分布或余誤差分布等）情況下，已經作出了平均電導率與擴散雜質表面濃度之間的關係曲線，可供查用。
評價
半導體開始本徵激發起重要作用的溫度，也就是電阻率很快降低的溫度，該溫度往往就是所有以pn結作為工作基礎的半導體器件的最高工作溫度（因為在該溫度下，pn結即不再存在）；該溫度的高低與半導體的摻雜濃度有關，摻雜濃度越高，因為多數載流子濃度越大，則本徵激發起重要作用的溫度——半導體器件的最高工作溫度也就越高。所以，若要求半導體器件的溫度穩定性越高，其摻雜濃度就應該越大這時本徵激發開始起作用，載流子濃度將指數式地很快增大，雖然這時遷移率仍然隨着溫度的升高而降低（晶格振動散射散射越來越強），但是這種遷移率降低的作用不如載流子濃度增大的強，所以總的效果是電阻率隨着溫度的升高而下降。[1]