李樹深

半導體器件物理專家。中國科學院半導體研究所研究員。1963年3月出生於河北省保定市，籍貫河北保定。1983年畢業於河北師範大學，1989、1996年先後在西南交通大學和中國科學院半導體研究所獲碩士和博士學位。曾任中國科學院半導體研究所所長，半導體超晶格國家重點實驗室主任。現任中國科學院副院長。2011年當選為中國科學院院士。

   主要从事半导体低维量子结构中的器件物理基础研究。提出了研究半导体耦合量子点（环）电子态结构的一种物理模型，理论上确定了半导体量子点可以吸收垂直入射光，发现了半导体量子点电荷量子比特真空消相干机制，发展了电子通过半导体量子点的量子输运数值计算方法。曾获国家自然科学二等奖和“何梁何利”科学技术进步奖。