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X射线光电子能谱学

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'''X射线光电子能谱学 ''' (英文:X-ray photoelectron spectroscopy,简称XPS)是一种用于测定 [[ 材料 ]] 中元素构成、实验式,以及其中所含 [[ 元素 ]] 化学态和电子态的定量能谱技术。这种 [[ 技术 ]] 用X射线照射所要分析的材料,同时测量从材料表面以下1纳米到10纳米范围内逸出 [[ 电子 ]] [[ 动能 ]] 和数量,从而得到X射线光电子能谱。X射线光电子能谱技术需要在超高真空环境下进行。
XPS是一种表面化学分析 [[ 技术 ]] ,可以用来分析 [[ 金属 ]] 材料在特定状态下或在一些加工处理后的 [[ 表面化学 ]] 。这些加工处理方法包括空气或超高真空中的压裂、切割、刮削,用于清除某些表面污染的离子束蚀刻,为研究受热时的变化而置于加热环境,置于可反应的 [[ 气体 ]] 或溶剂环境,置于离子注入环境,以及置于紫外线照射环境等。
==XPS的历史==
1887年, [[ 海因里希·鲁道夫·赫兹 ]] 发现了光电效应,1905年, [[ 爱因斯坦 ]] 解释了该现象,并为此获得了1921年的 [[ 诺贝尔物理学奖 ]] 。两年后的1907年,P.D. Innes用伦琴管、亥姆霍兹线圈、磁场半球(电子能量分析仪)和照像平版做实验来记录宽带发射电子和 [[ 速度 ]] 的函数关系,他的实验事实上记录了人类第一条X射线光电子能谱。其他研究者如亨利·莫塞莱、罗林逊和罗宾逊等人则分别独立进行了多项实验,试图研究这些宽带所包含的细节内容。
XPS的研究由于战争而中止, [[ 瑞典 ]][[ 物理学家 ]][[ 凯·西格巴恩 ]] 和他在乌普萨拉的研究小组于 [[ 第二次世界大战 ]] 后,在研发XPS设备中获得了多项重大进展,并于1954年获得了氯化钠的首条高能高分辨X射线光电子能谱,显示了XPS技术的强大潜力。1967年之后的几年间,西格巴恩就XPS技术发表了一系列学术成果,使XPS的应用被世人所公认。在与西格巴恩的合作下,美国 [[惠普| 惠普公司 ]] 于1969年制造了世界上首台商业单色X射线光电子能谱仪。1981年西格巴恩获得诺贝尔物理学奖,以表彰他将XPS发展为一个重要分析技术所作出的杰出贡献。
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