變更

逆反应

增加 31 位元組, 2 年前

小

（4）逆反应烧结制备Si3N4/SiC复合材料的机理是Si3N4氧化后生成活性的Si2N2O或SiO2的结果。这些活性的细小颗粒分散于Si3N4生和SiC边界，从而形成活性烧结，因而可在1450℃下烧成制品。<ref>[https://baike.so.com/doc/4975609-5198432.html 逆反应]搜狗</ref>

=='''参考文献'''==

[[Category:340 化學總論]]

关山梅子

41,228

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